簡(jiǎn)述P+F接近傳感器,倍加福技術(shù)數(shù)據(jù)
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產(chǎn)品名稱(chēng): 簡(jiǎn)述P+F接近傳感器,倍加福技術(shù)數(shù)據(jù)
產(chǎn)品型號(hào): NJ5-18GK-N-150
產(chǎn)品展商: P+F倍加福
產(chǎn)品文檔: 無(wú)相關(guān)文檔
簡(jiǎn)單介紹
簡(jiǎn)述P+F接近傳感器,倍加福技術(shù)數(shù)據(jù)
NBN4-12GM50-E2-V1
NBN15-30GM50-E2-V1
NBB15-30GM50-WS倍加福
V15-G-2M-PVC??
簡(jiǎn)述P+F接近傳感器,倍加福技術(shù)數(shù)據(jù)
的詳細(xì)介紹
簡(jiǎn)述P+F接近傳感器,倍加福技術(shù)數(shù)據(jù)
參數(shù)簡(jiǎn)介:
接近傳感器，是代替限位開(kāi)關(guān)等接觸式檢測(cè)方式，以無(wú)需接觸檢測(cè)對(duì)象進(jìn)行檢測(cè)為目的的傳感器的總稱(chēng)。能檢測(cè)對(duì)象的移動(dòng)信息和存在信息轉(zhuǎn)換為電氣信號(hào)。在換為電氣信號(hào)的檢測(cè)方式中，包括利用電磁感應(yīng)引起的檢測(cè)對(duì)象的金屬體中產(chǎn)生的渦電流的方式、捕測(cè)體的接近引起的電氣信號(hào)的容量變化的方式、利石和引導(dǎo)開(kāi)關(guān)的方式。 在JIS規(guī)格中，根據(jù)IEC60947-5-2的非接觸式位置檢測(cè)用開(kāi)關(guān)，制定了JIS規(guī)格（JIS C 8201-5-2低壓開(kāi)關(guān)裝置及控制裝置、第5控制電路機(jī)器及開(kāi)關(guān)元件、第2節(jié)接近開(kāi)關(guān)）。在JIS的定義中，在傳感器中也能以非接觸方式檢測(cè)到物體的接近和附近檢測(cè)對(duì)象有無(wú)的產(chǎn)品總稱(chēng)為“接近開(kāi)關(guān)”，由感應(yīng)型、靜電容量型、超聲波型、光電型、磁力型等構(gòu)成。在本技術(shù)指南中，將檢測(cè)金屬存在的感應(yīng)型接近傳感器、檢測(cè)金屬及非金屬物體存在的靜電容量型接近傳感器、利用磁力產(chǎn)生的直流磁場(chǎng)的開(kāi)關(guān)定義為“接近傳感器”。
開(kāi)關(guān)功能 常閉 (NC)
輸出類(lèi)型 NAMUR
額定工作距離 5 mm
通過(guò)外部磁場(chǎng)影響，檢測(cè)在導(dǎo)體表面產(chǎn)生的渦電流引起的磁性損耗。在檢測(cè)線(xiàn)圈內(nèi)使其產(chǎn)生交流磁場(chǎng)，并檢測(cè)體的金屬體產(chǎn)生的渦電流引起的阻抗變化進(jìn)行檢測(cè)的方式。
在檢測(cè)體一側(cè)和傳感器一側(cè)的表面上，發(fā)生變壓器的狀態(tài)。
額定電壓 8,2 V （Ri 約 1 kΩ）
開(kāi)關(guān)頻率 0 ... 500 Hz
電流消耗
未檢測(cè)到測(cè)量板 min. 3 mA
檢測(cè)到測(cè)量板 ≤ 1 mA
安裝 齊平
確保操作距離 0 ... 4,05 mm
衰減系數(shù) rAl 0,4
衰減系數(shù) rCu 0,3
衰減系數(shù) r304 0,85
輸出類(lèi)型 2 線(xiàn)
此外，作為另外一種方式，還包括檢測(cè)頻率相位成分的鋁檢測(cè)傳感器，和通過(guò)工作線(xiàn)圈僅檢測(cè)阻抗變化成分的全金屬傳感器。
簡(jiǎn)述P+F接近傳感器,倍加福技術(shù)數(shù)據(jù)
